埃比斯级
槽位 高 2 · 中 4 · 低 4 · 改装 3
高槽 (1)
551.1K
551.1K
拦截失效装置 II
1
551.1K
中槽 (3)
54.1K
286.5K
340.7K
持久型多谱式护盾增强器
1
257.4K
小型恒沸点抑制型护盾扩展装置
1
1
29.2K
Y-T8紧凑型50MN微型跃迁推进器
1
24.9K
低槽 (2)
300.2K
31.3K
331.4K
惯性稳定器 II
1
300.2K
惯性稳定器 I
2
15.6K
改装 (2)
3.49M
3.49M
中型核心防御力场扩张装置 I
2
1.23M
中型低摩擦喷嘴接口 I
1
1.03M
特殊舱位 (3)
8.7M
79.1M
87.8M
控制面板
1761
35.2K
氧化剂
42620
403
生物电池
1950
4.46K